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  • LED的内量子效率与电光效率原理及计算-pg电子官网

    发布时间: 2021-02-25 01:26首页:主页 > 金融财经 > 阅读()
    本文摘要:如果LED的PN结产生反向电压,电流就会流向PN结。电子和空穴填充在PN结过渡层中而不产生光子,但不是每一对电子和空穴产生光子,LED的PN结是杂质半导体,因此,没有材料的品质、晶格要素及工艺上的各种缺损,杂质的电离、唤起衍射和晶格衍射等因为这个部分的能量不转换为光能而转换为热能的损失在PN结内,所以有填充载体的切换效率,用符号Nint来响应。 如果LED的PN结产生反向电压,电流就会流向PN结。

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    如果LED的PN结产生反向电压,电流就会流向PN结。电子和空穴填充在PN结过渡层中而不产生光子,但不是每一对电子和空穴产生光子,LED的PN结是杂质半导体,因此,没有材料的品质、晶格要素及工艺上的各种缺损,杂质的电离、唤起衍射和晶格衍射等因为这个部分的能量不转换为光能而转换为热能的损失在PN结内,所以有填充载体的切换效率,用符号Nint来响应。

    如果LED的PN结产生反向电压,电流就会流向PN结。电子和空穴填充在PN结过渡层中而不产生光子,但不是每一对电子和空穴产生光子,LED的PN结是杂质半导体,因此,没有材料的品质、晶格要素及工艺上的各种缺损,杂质的电离、唤起衍射和晶格衍射等因为这个部分的能量不转换为光能而转换为热能的损失在PN结内,所以有填充载体的切换效率,用符号Nint来响应。Nint=(填充载体产生的光子数/填充载体总数) 100%当然,很难计算填充载体总数和产生的光子总数。

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    通常通过测量LED输入的光功率来评价该效率,将该效率Nint称为内部量子效率。要提高内部量子效率,必须从LED的生产材料、PN结外延生长技术及LED闪烁层的光取出方式进行研究,才能提高LED的Nint。

    这方面经过科技界的不懈努力,数量明显提高,从初期的百分之几提高到百分之几十,有飞跃性的变化,有相当多的空间来提高未来的LED发展和Nint。假设用LEDPN结每个填充载流子可以有一个光子,那么可以说LED的电光切换效率超过100%吗? 问题是反驳。

    从半导体理论可以看出,根据材料和外延生长过程,制作的LED的闪烁波长不同。假设这些闪烁波长不同LED的内部量子效率超过100%,但由于电子n型层移动到PN结活性层,空穴从p型层移动到PN结活性层,因此填充载流子所需的能量e是波长不同的LED的能量万波长不同的光子的能量e也不同,从电能到光能的转换一定有损失。例如,进入D=630nm的GaInAlP四维橙色LED,其反偏压为VF2.2V,意味着该电子和空穴填充载流子所需的电势ER=2。


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    本文来源:pg电子-www.etsdpres.com

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